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与其它方法比较，射频溅射方法具有较低温度下生长表面光洁薄膜的优点。本文报道射频溅射生长Ｂｉ１２ＳｉＯ２０薄膜。以化学计量Ｂｉ１２ＳｉＯ２０作为靶材，先在玻璃和硅衬底上生长，它们的结晶结构依赖于衬底温度：低于１００℃为非晶态的ＢＳＯ；１００－３５０℃为ｆｃｃ多晶相；高于４００℃为ｂｃｃ多晶相。
射频溅射Bi12SiO20薄膜生长
【摘 要】
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与其它方法比较，射频溅射方法具有较低温度下生长表面光洁薄膜的优点。本文报道射频溅射生长Ｂｉ１２ＳｉＯ２０薄膜。以化学计量Ｂｉ１２ＳｉＯ２０作为靶材，先在玻璃和硅衬底上生长，它们的结晶结构依赖于衬底温度：低
【出 处】
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上海硅酸盐
【发表日期】
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1995年4期
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