通过倾斜多晶硅p-n结光电器件提高光电转换性能

来源 :光电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：WZX10

【摘要】

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本研究针对多晶硅p-n结光伏器件开展工作.基于倾斜光电转换器件的思想[1],倾斜本研究采用的光电转换器件使入射光线与器件表面法线成75度的夹角,从而使红外光在器件内形成多

【作者】

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李建明种明衡扬徐嘉东

【机构】

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中国科学院半导体研究所,北京市太阳能研究所

【出处】

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光电子技术

【发表日期】

：

2003年4期

【关键词】

：

光电转换多晶硅 P-N结红外吸收 polycrystalline silicon photoelectric conversion infrared a

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本研究针对多晶硅p-n结光伏器件开展工作.基于倾斜光电转换器件的思想[1],倾斜本研究采用的光电转换器件使入射光线与器件表面法线成75度的夹角,从而使红外光在器件内形成多次全反射.这种内部全反射增加了光在器件内的光程,使得光在器件内的吸收得以增加.从采光的角度上发现,倾斜多晶硅光电转换器件可使器件的光电转换效率提高15%.此外,还发现了由倾斜器件造成开路电压稍微减小的现象并给予了解释.

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