【摘 要】
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采用离子束溅射技术,通过改变诱导量子点形成的C层生长温度,在n型Si（100）衬底上自组装生长了一系列Ge量子点。利用 AFM和 Raman光谱对样品的表面形貌和结构进行了表征。实验结
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采用离子束溅射技术,通过改变诱导量子点形成的C层生长温度,在n型Si（100）衬底上自组装生长了一系列Ge量子点。利用 AFM和 Raman光谱对样品的表面形貌和结构进行了表征。实验结果表明,当C层的温度从600℃升高到700℃时,Ge 量子点的密度逐渐降低,且结晶性变差；此时,量子点中的 Si 组分升高。当C层的生长温度从700℃升高到800℃过程中,Ge量子点的密度逐渐增大,结晶性也有所改善；此时,量子点中的Si含量降低。
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摘 要： 应用型人才培养背景下的地方师范院校现代汉语教学，面临新的改革，需重新审视课程培养目标、教学内容、教学方式、教与学关系、教学价值取向，增加实践环节、内容和时间。按应用型人才培养的需要，现代汉语教学顺应要求，转变观念，除必要的基础理论、基本知识的传授外，更需加强实践训练，培养高师生的语文素养，使其成为能说会写的、为地方中小学教育服务的卓越语文教师。 关键词： 应用型人才培养 地方师范院
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