纳米SnO2材料的晶化及其对气敏特性的影响

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【摘要】

：

本文对以无水SnCl_4为源、采用低温等离子体法制备的10nm量级的SnO_2粉料的晶化现象进行了多方面的讨论.由DTA得到了这种粉料的晶化温度;结合IR分析了升温过程中粉料的失重原

【作者】

：

刘勇陈春华

【机构】

：

中国科学技术大学材料系,中国科学技术大学材料系

【出处】

：

传感技术学报

【发表日期】

：

1993年1期

【关键词】

：

晶化半导体材料二氧化锡特性 crystallization sensitivity grain size

【基金项目】

：

国家自然科学基金项目

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本文对以无水SnCl_4为源、采用低温等离子体法制备的10nm量级的SnO_2粉料的晶化现象进行了多方面的讨论.由DTA得到了这种粉料的晶化温度;结合IR分析了升温过程中粉料的失重原因;从X-射线衍射谱图中分析了制得粉料的热稳定性.在晶化温度前后对粉料进行热处理,得到了不同的电导-温度曲线.比较了两种温度烧结制得的气敏元件的灵敏度.

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