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报道了一套先进的0.5μm高速双层多晶硅自对准BiCMOS制作工艺。工艺中采用了先进的深槽隔离技术、选择性集电极注入(SIC)技术、使用自对准Si3N4/SiO2复合侧墙作为E-B结的隔离、用低能氟化硼取代硼注入基区形成超薄内基区。通过优化BiCMOS制作工艺,最终制作出了性能优良的高速BiCMOS器件。