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就GaAs MMIC中器件通孔的应力分布、受力结构和应力来源展开讨论,得出了应力聚集于通孔边缘和圆形通孔具有最强受力能力的结论,并提出了降低应力的解决方案.
GaAs MMIC通孔破裂的应力分析
【摘 要】
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就GaAs MMIC中器件通孔的应力分布、受力结构和应力来源展开讨论,得出了应力聚集于通孔边缘和圆形通孔具有最强受力能力的结论,并提出了降低应力的解决方案.
【机 构】
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南京电子器件研究所GaAs工程中心
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2004年4期
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