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利用金属有机物分解法在非晶石英衬底上成功地制备了具有 (202) 择优取向的多晶 La1－ x－ SrxMnOz 薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有疏松的结构缺陷。在室温下，观察到薄膜磁电阻随 外加磁场变化具有优良的线性特征， 10 kOe磁场下，磁电阻值达到 5％。在 77 K 低温下，薄膜具有 显著的低场磁电阻效应， 2 kOe 磁场下的磁电阻值达到 11％。薄膜的电阻－温度关系具有平缓的 金属－绝缘体转变，转变温度远低于其居里温度；在 8 kOe磁场下，薄膜的磁电阻随温度下降而单调 上升。上述薄膜的