【摘 要】
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本文用喇曼放射方法研究了在ＧａＡｓ衬底上用Ｓ－枪磁控反应溅射的ＡＩＮ和ＰＥＣＶＤ淀积的ＳｉＯｘＮｙ薄膜界面应力，并研究了这两种薄膜在Ｎ２和Ａｒ气氛下的高温热处理对界面应力的影响。结果表明，与ＳｉＯｘＮｙ薄膜不同，在ＧａＡｓ衬底上制备的
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本文用喇曼放射方法研究了在ＧａＡｓ衬底上用Ｓ－枪磁控反应溅射的ＡＩＮ和ＰＥＣＶＤ淀积的ＳｉＯｘＮｙ薄膜界面应力，并研究了这两种薄膜在Ｎ２和Ａｒ气氛下的高温热处理对界面应力的影响。结果表明，与ＳｉＯｘＮｙ薄膜不同，在ＧａＡｓ衬底上制备的ＡＩＮ薄膜，其界面应力很不，而且经Ｎ２和Ａｒ气氛下的高温快速热退火，仍具有较好的稳定性，从而表明ＡＩＮ是ＧａＡｓ集成电路技术中一种较好的绝缘介质、钝化层和保护材料。
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