AIN相关论文
Four-inch high quality crack-free AIN layer grown on a high-temperature annealed AIN template by MOC
In this work,based on physical vapor deposition and high-temperature annealing (HTA),the 4-inch crack-free high-quality ......
AIN is an important wide-band gap semiconductor with a band gap of 6.2 eV at room temperature.This material is promising......
使用CaF-YO体系，研究了AIN在1300℃-1650℃之间的收缩率、相组成以及微结构的变化，发现，随着温度升高，生成的Y-AL-O化合物可以发生YAG-......
Post-CMOS Integration of AIN based Film Bulk Acoustic Wave Resonator for System on Chip Microwave Ci
In this paper,a CMOS compatible integration strategy for film bulk acoustic wave resonator (FBAR) post-CMOS integration ......
本文对27例经肾活检证实的AIN分析其病因、临床表现、形态学所见及预后。病人及方法 27例AIN病人,均经肾活检证实。男16,女11,平......
本文对Ａｌ＿２Ｏ＿３碳还原氮化法和Ａｌ直接氮化法所制作的两种ＡｌＮ粉体的特性进行了分析和比较，然后研究了这两种粉体在添加０～１５ｗｔ．％的Ｙ＿２Ｏ＿３烧结助剂的条件下，经２０７３Ｋ烧结后......
本文描述了采用JS-450D型射频溅射设备,在GaAs衬底上获得了AIN薄膜。对这种膜在H_2、N_2中不同温度下退火实验,分析了热处理对膜绝......
氮化铝(AlN)是非氧化性高功能陶瓷材料,具有许多优异的物理化学性质,日益被人们所重视。评述了AlN粉末和AlN薄膜的制备,应用。
Al......
本文对碳钢中含量很低的AlN,用碳膜萃取法进行了电子衍射鉴定,尤其对细小的AlN质点(500埃以下)进行了鉴定。对AlN析出的各种形貌作......
本文作者在上届全国电子光学会议上曾发表文章指出T.Gladman等提出的关于奥氏体晶粒长大机构的弥散第二相质点对晶界的钉扎理论不......
本文采用电解萃取碳复型、透射电镜及电子衍射技术,对不同予处理状态下40CrNiMoA钢中AlN相的晶体结构进行鉴别和形貌观察;讨论了Al......
一、绪言用 AI 进行晶粒度调整的钢的奥氏体晶粒粗化温度因热处理而变化是人所共知的事实。而热处理对奥氏体晶粒粗化温度(以下简......
用面间力常数模型计算了（０００１）方向纤锌矿结构ＧａＮ与ＡＩＮ的纵向振动特性．并利用该模型对（０００１）方向生长的六角结构的ＧａＮ／ＡＩＮ超晶格的纵向声子态进行了研究．着重讨......
用溶胶－凝胶碳热氮化法在１５５０～１６５０℃，５０ｍｉｎ下制得平均粒径为０．２μｍ左右的ＳｉＣ－ＡＩＮ复合超细粉末，粉末烧结性能良好；在较低合成温度下（１５５０～１６００℃），粉末中出现晶须。本研究还探......
研究了烧结助剂ＡＩＮ 和Ｂ对Ｃｆ／ＳｉＣ复合材料力学性能的影响。结果表明：Ｂ含量较低时（小于０．５ｗ ｔ％ ），Ｂ的增加能有效地提高复合材料的抗弯强度与断裂韧性，继续增......
对离子束增强反应磁控溅射低温沉积 AIN 膜层组织形貌、晶体结构、电子结构及其光学特性进行了研究。结果表明膜层组织均匀,晶粒细......
本文研究了磁光材料保护膜ＡＩＮ和ＡＩＳｉＮ薄膜材料，讨论了它们的性能与溅射工艺参数的关系，研究了ＡＩＮ及ＡｌＳｉＮ薄膜对磁光盘材料的保护作用，研究同时表明：ＡＩＮ及ＡｌＳｉＮ保......
介绍了氮化铝（ＡＩＮ）陶瓷的特性，并以金属铝直接氮化法和氧化物高温碳热还原法为重点．对目前国内外比较成熟的几种ＡｌＮ粉末合成方法的制备工艺、......
研究了宽禁带Ⅲ－Ｖ族化合物半导体氮化铝（ＡＩＮ）薄膜的折射率及其热光特性，采用棱镜──薄膜耦合装置和自动温控光波导测试仪，测出不同温度下氮......
机械力活化由于能大幅度地降低AlN粉末反应合成温度、缩短反应时间,是制备AlN粉末经济有效的实用化途径之一。简要介绍了机械力活......
采用透射电镜等试验方法，观察了两种温度１３８０℃及１３１０℃铸坯加热处理的高磁感取向硅钢（Ｈｉ－Ｂ钢）中抑制剂质点（硫化物＋ＡｌＮ）的析出形态，证实较低温度（１３１０℃）处理时......
给出了Al-Cl-N-H体系的一组关联反应,探讨了化学气相淀积过程的关联反应热力学特性。根据Gibbs自由焓最小的原则,研究了Al-Cl-N-H......
利用化学气相淀积(CVD)技术,在700～1000℃下合成了AlN超细粒子,研究了操作参数对粒子特性和AlN薄膜生长规律的影响。AlN超细粒子表......
在纯氮气气氛、衬底温度为20℃至370℃的条件下,分别在硅(100)和石英衬底上沉积氮化铝薄膜.原子力显微镜图片表明:在不同衬底温度......
在700～1000℃下,用无水AlCl_3和NH_3的化学气相淀积反应合成得到了AlN超细粉末,并研究了反应温度、总流量、AlCl_3浓度等对AlN粉末......
以AIN粉体为原料，加入适量的CaO-B2O3矿化剂，采用升华再结晶法制备AIN晶须．初步探讨了反应器及其合成温度对产物种类的影响，研究了晶须......
自身免疫性中性粒细胞减少症（ＡＩＮ）在婴儿的发病率为１／１００ ０００，高于先天性或获得性中性粒细胞减少症。该病由循环中抗中性粒细胞抗体致网状内皮系......
本文给出了A1N膜介电特性的测试结果.ε-f、ε-Τ和σ-Τ的关系曲线表明,无正交磁场低温反应射频溅射生成的A1N膜具有绝缘性好、频......
研究了用于控制AlN_x(0≤x≤1)膜化学计量的三种平面磁控溅射形式:(1)在稳定功率下控制气体流速;(2)在稳定流速下控制功率;(3)在稳......
本文用光谱分析的方法研究低温反应射频溅射生长的A1N薄膜。结果表明,薄膜的红外吸收谱在700cm~(-1)处有一吸收带,与块状晶体相同,......
AlN thin film irradiated with 100MeV U ions using the HIRFL-SFC(Heavy Ion Research Facility in Lanzhou)facility in Lanzh......
采用传统的粉末冶金方法制备出AlN/Al复合材料,考察AlN含量对复合材料性能的影响,并尝试通过高能球磨方法和复压复烧工艺来提高烧......
在冷作模具钢Cr12MoV特殊冶炼过程中,采用原位反应在钢中生成高度弥散分布、质量分数总量约为0.8％金属陶瓷A1N、TiN和c-BN质点,钢坯......
老年急性间质性肾炎患者发病的首要病因仍为药物，其中许多与其原发疾病治疗有关，别嘌呤醇过敏是老年人AIN的重要病因。与非老年......
ALN多层共烧陶瓷外壳具有较高的热导率和气密性，在微电子领域得到日趋广泛的应用。本文使用Ansoft HFSS软件设计了一种微波多芯......
采用座滴法系统研究了AIN／CuTi体系在真空中的润湿性，结果表明，随着Ti含量的增大、温度升高和保温时间延长，体系的润湿性均得到改善。......
本文选择B2O3-BaO-Li2O-SiO2-ZnO的体系玻璃代替PbO-SiO2-B2O3的体系的有铅玻璃,通过玻璃相、反应相和混合粘结相3种方式研究ALN基......
目的 探讨宫腔镜下宫颈电切术后口服杏香兔耳风片治疗重度慢性宫颈炎的临床效果.方法 对2005年7月-2008年7月在我院行宫腔镜下宫颈......
In this paper,general principle of the Surface Acoustic Wave (SAW) sensor in wired and wireless configurations will be d......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
The AIN particle reinforced aluminum matrix composites with 50% volume fraction were fabricated by squeeze-castingtechno......
