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采用正交试验方法研究了射频溅射的工艺因素对Ｓｎ膜形成过程的影响，得到了射频溅射制备Ｓｎ膜新工艺的最佳条件。Ｘ－射线衍射及ＳＥＭ实验结果表明在该工艺条件下得到的Ｓｎ膜为非常细小均匀的β－Ｓｎ的晶体结构。
射频溅射Sn薄膜的工艺研究
【摘 要】
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采用正交试验方法研究了射频溅射的工艺因素对Ｓｎ膜形成过程的影响，得到了射频溅射制备Ｓｎ膜新工艺的最佳条件。Ｘ－射线衍射及ＳＥＭ实验结果表明在该工艺条件下得到的Ｓｎ膜为非常细小均匀的β－Ｓｎ的
【机 构】
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广西师范大学新技术新材料研究所
【出 处】
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传感器技术
【发表日期】
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1999年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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