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基于AMS 0．35μm SiGe BiCMOS工艺，设计了一种应用于3．1～10．6GHz频段的超宽带低噪声放大器；采用多个反馈环路，实现超宽带范围内的阻抗匹配以及低噪声性能；详细分析了匹配电路的特性。在片测试结果表明，在工作频带内，电路增益S21达到14dB，增益波动小于2．dB；输入回波损耗S11于-10dB；噪声系数NF小于3．5dB。电路采用3V供电，功耗为30mW。