【摘 要】
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在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下降，但发光峰位与退火温度无关．通过ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＥＭ、ＸＰＳ等研
【机 构】
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中国科学技术大学研究生院,中国科学技术大学,中国科学院上海硅酸盐研究所
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在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下降，但发光峰位与退火温度无关．通过ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＥＭ、ＸＰＳ等研究，认为纳米ＳｉＣ中与氧有关的缺陷可能是引起４７５ｎｍ蓝光发射的主要原因
Under the excitation of 4.68eV, the SiC powders prepared by room temperature CVD can emit blue light at 475nm, and undergo rapid annealing (RTA) at 600 ~ 1100 ℃ under N2 atmosphere. The fluorescence intensity increases with the annealing temperature Enhanced, when T ≥ 900 ℃, the fluorescence intensity decreased, but the light-emitting peak position has nothing to do with the annealing temperature. The XRD, IR, TEM, XPS and other studies suggest that oxygen-related defects in the nano-SiC may be the main cause of 475nm blue emission
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