Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷的低温相变扩散与极化弛豫

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【摘要】

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用弱场介电温谱、热释电流谱、强场电滞回线和变温X射线衍射谱研究了微量La掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST)反铁电(AFEt)陶瓷在-100-180℃温区内的结构与电学特性.弱场介电温谱显示

【作者】

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刘鹏杨同青张良莹姚熹

【机构】

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陕西师范大学物理系,西安,710062同济大学功能材料研究所,上海,200092;同济大学功能材料研究所,上海,200092;西安交通大学电子材料研究所,西安,710049;

【出处】

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物理学报

【发表日期】

：

2000年11期

【关键词】

：

Pb(Zr Sn Ti)O3反铁电陶瓷反铁电弛豫相变变温X射线衍射

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用弱场介电温谱、热释电流谱、强场电滞回线和变温X射线衍射谱研究了微量La掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST)反铁电(AFEt)陶瓷在-100-180℃温区内的结构与电学特性.弱场介电温谱显示,AFEt陶瓷在低温段(-100-50℃)呈现介电频率弥散(0.1-100kHz)和扩散型相变的特征,而变温X射线衍射谱却表明材料在这一温区内保持四方相结构;低温下经强场作用后,AFEt被诱导为亚稳三方铁电态,介电频率弥散消失.基于多元复杂化合物的组分起伏理论,讨论了PZST AFEt陶瓷的相变扩散与极化弛豫新现象.

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