基于暗I-V特性曲线对晶硅电池杂质和缺陷性质研究

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【摘要】

：

暗I-V特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段.本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗I-V特性曲线的影响,并给出了利用暗I-V特性曲线判

【作者】

：

宋扬陆晓东王泽来赵洋吕航张宇峰

【机构】

：

渤海大学新能源学院,锦州,121000

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2017年3期

【关键词】

：

晶硅电池暗I-V特性曲线理想因子杂质缺陷

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暗I-V特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段.本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗I-V特性曲线的影响,并给出了利用暗I-V特性曲线判断晶硅电池内部杂质和缺陷类型和分布的基本准则,结果表明:在大于0.75 V的正向偏压区域,暗I-V特性曲线的明显变化可作为判断为由晶硅电池体内杂质和缺陷引起;在0.1 V~0.75 V的正向偏压区域,暗I-V特性曲线的理想因子分区性质可作为晶硅电池体内和表面杂质和缺陷的依据.

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