Ni／ITO与p型GaN的欧姆接触

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：woxuejavalala

【摘要】

：

通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了Ni层厚度和Ni层的高温退火对Ni/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了Ni/ITO-p-GaN欧姆接

【作者】

：

冯玉春张建宝朱军山杨建文胡加辉王文欣

【机构】

：

深圳大学,深圳大学

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

p型氮化镓 Ni-铟锡氧化物(Ni/ITO) 欧姆接触 p-GaN Ni-indium tin oxide （Ni/ITO） ohmic contact

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通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了Ni层厚度和Ni层的高温退火对Ni/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了Ni/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化Ni金属层的方法.获得接触电阻率(ρc)小于9.5×10-5 Ω·cm2,透过率达到74%(470 nm)的Ni/ITO-p-GaN电极.

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