Co掺杂对Zn1-xCoxO稀磁半导体光学性质的影响

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溶胶-凝胶法制备了Co掺杂的ZnO基稀磁半导体,研究其粉体和薄膜的结构和光学特性.X射线衍射结果表明Co^2+随机替代Zn^2+位置进入ZnO晶格,并引起晶格常数的变化.紫外-可见透射光谱表明样品的禁带宽度随着Co掺杂浓度的增大呈现非单调变化规律,低浓度掺杂样品的光学带隙随掺杂浓度增大而减小(红移),这是由于Co^2+替代Zn^2+,局域d电子与能带电子之间的sp-d交换耦合引起的.
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