【摘 要】
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基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种新型的栅压自举采样开关.采用镜像结构,增加了自举电容.采用时钟控制反相器,减少了MOS采样开关管的栅极节点寄生电容.这些措施有效抑
【机 构】
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重庆邮电大学微电子系,重庆400065
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基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种新型的栅压自举采样开关.采用镜像结构,增加了自举电容.采用时钟控制反相器,减少了MOS采样开关管的栅极节点寄生电容.这些措施有效抑制了电荷共享效应,提高了线性度,提高了采样开关的导通、关断速度.仿真结果表明,在6.25 MHz频率、0.8V输入正弦波信号、100 MHz采样频率的条件下,该栅压自举采样开关的SFDR为111.3 dBc,SNDR为108.9 dB.
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