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应用一种新T形栅版图设计方法的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ganyi
【摘 要】
：
在蓝宝石衬底上制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.由于使用了一种全新的T形栅电子束曝光版图,因此可以自由地改变T形栅的宽窄比（T形栅头部尺寸与栅长的比值）并优化T形栅的形状.
【作 者】
：
陈志刚 张杨 罗卫军 张仁平 杨富华 王晓亮 李晋闽 
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
2008年9期
【关键词】
：
GAN HEMT T形栅 版图 GaN  HEMT  T-gate  layout 
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在蓝宝石衬底上制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.由于使用了一种全新的T形栅电子束曝光版图,因此可以自由地改变T形栅的宽窄比（T形栅头部尺寸与栅长的比值）并优化T形栅的形状.所得的0.18μm栅长的器件,其特征频率（fT）为65GHz,T形栅的宽窄比为10.同时,测得的峰值跨导为287mS/mm,最大电流密度为980mA/mm.
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