本征吸杂相关论文
研究了N2和N2/NH3混合气两种不同气氛快速退火处理硅片对洁净区和氧沉淀分布的影响.研究发现:N2/NH3混合气氛处理的硅片在后序热处......
在同时考虑到氧外扩散和沉淀作用的情况下,研究退火后间隙氧分布和洁净区宽度随退火时问的变化。根据同质成核理论,推导最大成核速......
本文描述硅本征吸杂片的特性参数,如吸除区宽度、洁净度,氧沉淀密度、MOS电容寿命,介绍了表面态密度及残余间隙氧浓度的检测方法和......
对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方......
通过对微氮ＣＺ硅单晶中氧沉积性质的研究表明，在氮一氮对（Ｎ－Ｎ）浓度为９×１０＾１５／ｃｍ＾３且经去热施主预热处理的样品中，氮对氧的沉积没有增强作用，因此，在实......
本文利用化学腐蚀、扩展电阻探针、透射电镜和电子探针等研究了氮气氛直拉硅的本征吸杂。经高——低——高三段热处理可获得比较完......
对电荷耦合器件（CCD）交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析，并提出了调整栅介质生长方法......
研究了N2和N2／NH3混合气两种不同气氛快速退火处理硅片对洁净区和氧沉淀分布的影响．研究发现：N2／NH3混合气氛处理的硅片在后序热处理中......
