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针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题, 采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏, 增加晶体管的开关电流比值. 通过模拟轻掺杂区不同的物理参数, 如掺杂浓度及掺杂区宽度等, 研究薄膜晶体管的开关电流比值. 由此确定像素各部分的尺寸, 对液晶显示器件进行优化设计.
多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件的优化设计
【摘 要】
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针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题, 采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏, 增加晶体管的开关电流比值. 通过模拟轻掺杂区不同的物理参数, 如掺杂
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林长春130021
【出 处】
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液晶与显示
【发表日期】
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2001年3期
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