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硼的瞬时增强扩散（TED）所造成的外扩散将对双极晶体管的性能产生不利影响。在HBT的SiGe区加入C（＜10^20cm^-3），能够抑制掺杂硼的外扩散。文章讨论了C掺杂的SiGe：C HBT在性能和工艺上的优势。SiGe：C HBT的静态参数优于普通SiGe HBT。同时，由于SiGe：C HBT允许高浓度的硼存在于很薄的SiGe基区层，甚至在外延后经注入和退火仍可保持很高浓度的硼掺杂，所以，SiGe：C HBT的高频特性有很大的提高。