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期刊论文
碳化硅压敏电阻非线性机理研究
碳化硅压敏电阻非线性机理研究
来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:beiwei72
【摘 要】
:
基于碳化硅压敏电阻的实验结果,提出了其中非线性电输运的物理模型,计算了非线性系数,阐明了组分和显微结构与性能的关系,与实验结果较好符合,讨论了建立统一的压敏电阻传导物理模
【作 者】
:
王豫
胡一帆
陈敏
【机 构】
:
华中理工大学物理系,岳阳师范专科学校物理系
【出 处】
:
功能材料
【发表日期】
:
1995年6期
【关键词】
:
碳化硅
压敏电阻
正离子迁移
晶界
SiC varistor
positive ions drift
grain bourdary
【基金项目】
:
华中理工大学理科基金
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基于碳化硅压敏电阻的实验结果,提出了其中非线性电输运的物理模型,计算了非线性系数,阐明了组分和显微结构与性能的关系,与实验结果较好符合,讨论了建立统一的压敏电阻传导物理模型的可能性。
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