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【正】 InGaAs/GaAs拉晶格量子阱材料是一种应变型微结构材料,随着结构参数与三元层成份的变化,微结构的电学及光学特性也随之而变,因此有很大的应用前景。 我们对于In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As/GaAs单量子阱材料进行了光致发光谱和时间分辨光致发光谱的研究。 实验所用的仪器包括同步泵浦染料激光器,配合高重复率条纹相机系统,输出的高重复率激光脉冲亮度在10皮秒左右,接收器可以接收1.35eV以上的发光谱。