用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：angeldd

【摘要】

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提出了一种利用深反应离子刻蚀(DRIE)和电介质填充方法来制造具有高深宽比的深电学隔离槽的新型技术．还详细讨论了DRIE刻蚀参数与深槽侧壁形状之间的关系，并作了理论上的阐述．采

【作者】

：

朱泳闫桂珍王成伟杨振川范杰周健王阳元

【机构】

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北京大学微电子学研究所微米／纳米加工技术国家重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

深反应离子刻蚀电隔离槽体微结构单片集成 deep reactive ion etching electrical isolation trenches b

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提出了一种利用深反应离子刻蚀(DRIE)和电介质填充方法来制造具有高深宽比的深电学隔离槽的新型技术．还详细讨论了DRIE刻蚀参数与深槽侧壁形状之间的关系，并作了理论上的阐述．采用经过参数优化的DRIE刻蚀深硅槽，并用反应离子刻蚀(RIE)对深槽开口形状进行修正，制造了具有理想侧壁形状的深槽，利于介质的完全填充，避免产生空洞．电隔离槽宽5μm，深92μm，侧壁上有0．5μm厚的氧化层作为电隔离材料．I-V测试结果表明该隔离结构具有很好的电绝缘特性；0～100V偏压范围内，电阻大于10^11Ω，击穿电压大于1

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