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采用溅射法制作高密度硬盘所必须的钡铁氧体膜及其磁特性的改进。垂直磁记录介质用的钡铁氧体溅射膜采用Ｘｅ（氙）溅射法来制作，可以将矫顽力控制在１６０ｋＡ／ｍ（２ｋＯｅ）左右，并改善了饱和磁化。另外，在Ｃｏ系铁氧体膜中，通过Ｃｏ离子与Ｚｎ的置换，可将其作为记录介质显得过高的矫顽力２３９￣３２０ｋＡ／ｍ（３￣４ｋＯｅ）控制在８０￣３２０ｋＡ／ｍ（１￣４ｋＯｅ）之间。实际上，对Ｃｏ－Ｚｎ铁氧体膜制作的硬盘进