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采用溅射法制作高密度硬盘所必须的钡铁氧体膜及其磁特性的改进。垂直磁记录介质用的钡铁氧体溅射膜采用Xe(氙)溅射法来制作,可以将矫顽力控制在160kA/m(2kOe)左右,并改善了饱和磁化。另外,在Co系铁氧体膜中,通过Co离子与Zn的置换,可将其作为记录介质显得过高的矫顽力239 ̄320kA/m(3 ̄4kOe)控制在80 ̄320kA/m(1 ̄4kOe)之间。实际上,对Co-Zn铁氧体膜制作的硬盘进