【摘 要】
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<正>1 引言 随着宇航技术、空间技术、核技术的发展,要求集成电路必须有较好的抗辐射性能。体硅器件通过精心的设计,严格的制造工艺,虽然能够增强器件的抗辐射能力,但在航天
【机 构】
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机电部第24研究所重庆永川632167
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<正>1 引言 随着宇航技术、空间技术、核技术的发展,要求集成电路必须有较好的抗辐射性能。体硅器件通过精心的设计,严格的制造工艺,虽然能够增强器件的抗辐射能力,但在航天技术和卫星工程高技术领域中仍不能满足要求。而宝石上外延薄硅层,即SOS,作成的CMOS集成电路,可以穿通扩散直到硅-宝石界面,大面积的水平扩散结被小面积的垂直扩散结所代替,结区面积可以减少两个数量级。加之半导体材料和金属接触是介质隔离的,因而寄生电容最小。应用SOS做成的集成电路具有它独有的特点:功耗低,速度高,特别是它抗辐射能
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