【摘 要】
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用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器一维线阵列 ,然后再串联组装成二维阵列 ,在 1
【机 构】
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河北工业大学信息学院微电子所,河北工业大学信息学院微电子所,中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部,中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部,中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部 天津30
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用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器一维线阵列 ,然后再串联组装成二维阵列 ,在 1 0 0 0 μs的输入脉宽下 ,输出峰值功率达到 730W (77A) ,输出光功率密度为 4 87W/cm2 ,中心激射波长为 90 3nm ,光谱半宽 (FWHM )为 4 4nm。在此条件下可以稳定工作 86 0 0h以上
InGaAs / AlGaAs confined strained single quantum well laser materials were epitaxially grown by metal organic compound vapor deposition (MOCVD) technique. The material is used to make a one-dimensional line array of semiconductor lasers and then assembled into a two-dimensional array in series. Under the input pulse width of 1 0 0 μs, the output peak power reaches 730W (77A) and the output optical power density is 4 87W / cm2, the central lasing wavelength is 903 nm and the spectral half width (FWHM) is 44 nm. Under this condition, it can work steadily for more than 8600 hours
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