金属有机化合物气相淀积相关论文
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系,确定了941nm波长的量子阱宽度和In组分.并利用金属有机化合......
采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900nm的三叠层隧道级联激光器。针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等......
用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器一......
分析了MOCVD AlGaAs/GaAs HBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P-N结界面产生偏离的原因,计算了外延生长参数对结偏离的影......
通过LP-MOVPE研制了实用化的AIGaAs／GaAsHBT材料。采用CCl4作为P型掺杂剂进行基区重掺杂。所作HBT增益为20～35，截止频率fr>50GHz，最大......
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)法在n-Si(100)单晶衬底上制备了TiO2薄膜;利用X-射线衍射技术研究了不同条件下退火的TiO2薄膜的......
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术成功生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱材料,用该材料制成的单管半导体激光器......
光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器（OPS-VECSEL）是一种新型激光器,在很多领域都具有广阔的应用前景。采用MOCVD生长了工作波长为980n......
采用金属有机化合物气相淀积（MOVPE）技术生长用于GaInP／GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键......
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系,确定了941nm波长的量子阱宽度和In组分.并利用金属有机化合......
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光器线......
采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术，制作了AlGaAs/InGaAs/GaAs大功率20％占空比半导体激光器。采用良好的封装方式，激光器直接封......
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成了半导体激光器线......
文章基于LED芯片和LED单灯的工作原理和制程工艺,探讨了LED芯片封装以后正向电压VF升高和降低的常见原因,并提出了改善措施。对于G......
应用金属有机化合物气相淀积（MOCVD）制备了具有渐变层的半导体布拉格反射镜（DBR），分别是抛物线性、线性和突变结构的DBR。三种反射镜结......
