【摘 要】
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采用脉冲激光沉积法（PLD）在（001）SrTiO3基片上制备了基于 Pb（Zr0.52Ti0.48）O3/SrRuO3（PZT/SRO）的铁电隧穿结.利用多种表征手段测试并分析薄膜微观结构及电性能.结果表明：PZT 和 SRO 薄
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（No.51372030）
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采用脉冲激光沉积法（PLD）在（001）SrTiO3基片上制备了基于 Pb（Zr0.52Ti0.48）O3/SrRuO3（PZT/SRO）的铁电隧穿结.利用多种表征手段测试并分析薄膜微观结构及电性能.结果表明：PZT 和 SRO 薄膜具有良好的取向结晶性,实现了薄膜的外延生长.8 nm PZT薄膜具有稳定的铁电性能,在外电场为7 500×103 V·cm–1时,其剩余极化（2Pr）为3.79×10–6 C·cm–2,矫顽场（2Ec）为4 300×103
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