随着人们对存储器件性能要求的提高,Flash闪存技术越来越无法满足人们的需求。铁电存储器因为具备更高的存储密度,更低的能耗,更快......

采用脉冲激光沉积与磁控溅射技术制备Pt/Pb(Zr0.2Ti0.8)O3/Nb:SrTiO3铁电隧道结,研究环境温度对隧道结隧穿电阻效应的影响.结果表......

采用脉冲激光沉积法（PLD）在（001）SrTiO3基片上制备了基于 Pb（Zr0.52Ti0.48）O3/SrRuO3（PZT/SRO）的铁电隧穿结.利用多种表征手段测试并分析薄......