论文部分内容阅读
采用基于第1性原理的密度泛函理论（DFT）赝势平面波方法和广义梯度近似，计算了V掺杂CrSi：体系的能带结构和态密度，计算结果表明，本体CrSi2是具有△Eg=0．35eV狭窄能隙的间接带隙半导体，其费米面附近的态密度主要由cr的3d层电子和si的3p层电子的态密度决定；V替代Cr掺杂后，费米能级进入价带，费米面插在价带的中间，带隙变窄，且间接带隙宽度△％=0．25eV；掺杂后费米面附近的电子能态密度则由cr的3d层电子、V的3d层电子和si的3p层电子的态密度共同决定，掺杂后V原子成为受主，在价带顶附近