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原子层刻蚀和沉积工艺利用自限性反应,提供原子级控制。潘阳博士分享了他对这个话题的看法。技术节点的每次进步都要求对制造工艺变化进行更严格的控制。最先进的工艺现在可以达到仅7 nm的fin宽度,比30个硅原子稍大一点。半导体制造已经跨越了从纳米级到原子级工艺的门槛。工程师现在必须关注结构的尺寸变化(仅相当于几个原子大小)。由于多重图案模式等复杂集成增加了工艺数量,进一步限制了每个步骤允许的变化。3D NAND和finFET结构的复杂性会带来更高挑战。