【摘 要】
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通过垂直布里奇曼法在富Te环境下生长铟(In)掺杂的CdTe与CdTe0.9Se0.1晶体,CdTe晶体的电阻率达到了10^8Ω·cm,而CdTe0.9Se0.1的为10^7Ω·cm。分析CdTe0.9Se0.1晶体
【机 构】
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西安工业大学材料与化工学院,陕西省光电功能材料与器件重点实验室
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通过垂直布里奇曼法在富Te环境下生长铟(In)掺杂的CdTe与CdTe0.9Se0.1晶体,CdTe晶体的电阻率达到了10^8Ω·cm,而CdTe0.9Se0.1的为10^7Ω·cm。分析CdTe0.9Se0.1晶体红外透过率为64%很接近理论的65%,而CdTe晶体仅为50%。在光致发光谱(PL)中,对比发现CdTe晶体有清晰的FE峰,以及较窄的半峰宽,说明CdTe晶体质量较高,但是在CdTe0.9Se0.1晶体中DAP峰较高,说明Cd空位较多,可能是由于较大的生长速率导致的。又通过
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