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介绍了一种新型的MWECR-CVD装置．该装置设计采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场，设计了一种新型的矩形耦合波导．应用这一装置使a-Si：H薄膜的沉积速率达到了2nm／s以上．为了降低薄膜的光致衰退效应，提出了热丝辅助的MWECR-CVD，这一改进可以大大降低薄膜的氢含量，改善薄膜的光照稳定性。