【摘 要】
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工艺过程本文介绍等温、近距外延生长工艺,所用的两种外延装置的简略截面图看图1和2。反应室10是个容器,例如可用石英制作。该容器包含源11、CdTe衬底12和汞蒸汽源13,后者可
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工艺过程本文介绍等温、近距外延生长工艺,所用的两种外延装置的简略截面图看图1和2。反应室10是个容器,例如可用石英制作。该容器包含源11、CdTe衬底12和汞蒸汽源13,后者可以是个装汞的小池(见图中所示)。衬底12与源11邻近,并在其上方。两
This article describes the isothermal, near-distance epitaxial growth process, the use of two kinds of epitaxial device schematic cross-sectional view of Figure 1 and 2. The reaction chamber 10 is a container, for example made of quartz. The vessel contains a source 11, a CdTe substrate 12 and a mercury vapor source 13, which may be a mercury-filled pond (see figure). Substrate 12 is adjacent to source 11 and above it. Two
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