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英国南安普顿大学的研究人员研制出了速度为当前器件两倍的双极晶体管。该小组利用了标准的硅双极制造和氟植入技术，演示了跃迁频率（fT）为110GHz的晶体管，研究人员以前只是通过硅锗结构在硅器件中达到了这个频率。氟植入物几乎没有增加标准工艺的成本，抑制了晶体管基极中的硼扩散，由此带来了更窄的基极宽度。