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通过工艺模拟和实验,在引入多晶硅栅等效电容概念的基础上,建立了MOS器件亚阈特性的修正模型,并讨论了多晶硅栅离子注入杂质类型对器件亚阈特性的影响。采用常规1μmNMOS工艺制备的晶体管使用了两种源漏、多晶硅栅掺杂方案-P、As用于比较,每一硅片上均包含四种几何尺寸不同的NMOS管。测量所得的亚阈特性参数与模拟及修正模型推导结果相一致,进一步证明了模型与实际器件的统一。