论文部分内容阅读
通过工艺模拟和实验，在引入多晶硅栅等效电容概念的基础上，建立了ＭＯＳ器件亚阈特性的修正模型，并讨论了多晶硅栅离子注入杂质类型对器件亚阈特性的影响。采用常规１μｍＮＭＯＳ工艺制备的晶体管使用了两种源漏、多晶硅栅掺杂方案－Ｐ、Ａｓ用于比较，每一硅片上均包含四种几何尺寸不同的ＮＭＯＳ管。测量所得的亚阈特性参数与模拟及修正模型推导结果相一致，进一步证明了模型与实际器件的统一。