GaAs—GaAlAs单异质结发光二极管

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根据任务的要求,研制了掺 Zn 自扩散 GaAs-GaAlAs 单异质结发光二极管,其典型值:功率 P≤1mw(DC 100mA),峰值波长λp=8900~9100,谱线半宽△λ≤350,截止频率 fc≥15MH2(DC100mA,20mA,M20%)(详见本刊79年第,2期),用透镜封装之后其发散角小于2度,35℃下加速老化试验,可获得4万小时的寿命。性能指标满足了任务的要求,提供了一定数量的样管,也用于测距和光通信。
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