高速雪崩光探测器同轴封装的高频分析

来源 :光子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Kinee

【摘要】

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基于频率响应理论模型,分析了同轴封装的雪崩光电探测器的高频特性.包含芯片、键合金丝、跨阻放大器和同轴管座等各部分的高频特性及对器件高频特性的影响.通过调节封装过程

【作者】

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徐光辉柴广跃彭金花黄长统段子刚谭科民

【机构】

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深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室,安徽建筑工业学院电子与信息工程学院,中国电子科技集团第十三研究所

【出处】

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光子学报

【发表日期】

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2012年2期

【关键词】

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雪崩光电探测器同轴封装频率响应跨阻放大器

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基于频率响应理论模型,分析了同轴封装的雪崩光电探测器的高频特性.包含芯片、键合金丝、跨阻放大器和同轴管座等各部分的高频特性及对器件高频特性的影响.通过调节封装过程中不同键合金丝引入的电感参量,可以得到不同现象的频率响应.最后考虑实际工程条件,优化得到了10 ghz的-3 db带宽的同轴封装雪崩光电探测器件.

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