【摘 要】
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湿气进入LED芯片内部会加速其老化失效,影响其可靠性.本研究模拟实验LED芯片在湿气环境中产生的GaN氧化、金属电极吸湿腐蚀和金属离子迁移等失效外观.利用ALD沉积A12O3钝化层替代传统的PECVD沉积SiO2钝化层.通过逆电解的方式测试了其失效时间,通过高温高湿老化实验测试了其正向电压和亮度变化,实验结果表明:A12O3钝化层的抗湿抗腐蚀能力优于SiO2,且A12O3膜层越厚,效果越显著.
【机 构】
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厦门理工学院光电与通信工程学院,福建厦门 361024;厦门理工学院光电与通信工程学院,福建厦门 361024;厦门理工学院福建省光电技术与器件重点实验室,福建厦门 361024
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湿气进入LED芯片内部会加速其老化失效,影响其可靠性.本研究模拟实验LED芯片在湿气环境中产生的GaN氧化、金属电极吸湿腐蚀和金属离子迁移等失效外观.利用ALD沉积A12O3钝化层替代传统的PECVD沉积SiO2钝化层.通过逆电解的方式测试了其失效时间,通过高温高湿老化实验测试了其正向电压和亮度变化,实验结果表明:A12O3钝化层的抗湿抗腐蚀能力优于SiO2,且A12O3膜层越厚,效果越显著.
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