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利用正交设计分析了直流磁控溅射中溅射气压，衬底温度和N2浓度对SiO2/Si衬底上制备的AIN薄膜的（002）择优取向的影响水平。利用X-射线衍射（XRD）、场发射扫描电镜（FESEM）、原子力显微镜（AFM）对薄膜的晶向和表面形貌进行了分析，得到制备高度择优取向的AIN薄膜的最佳期望条件：衬底温度为250℃，溅射气压为2Pa，N2浓度为75％；并得出了氮气浓度对薄膜的（002）择优取向的影响较大。具有择优取向的AIN薄膜的折射率约为2．06。