大面积金刚石膜生长环境气氛的计算机模拟

来源 :北京科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：snsjgl

【摘要】

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建立了直流电弧等离子体喷射ＣＶＤ大面积金刚石沉积数学模型．对衬底上方等离子体中的化学环境进行了模拟计算，并与在相同条件下对等离子体的光谱结果进行对比，发现计算结果与实验结

【作者】

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黄天斌唐伟忠

【出处】

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北京科技大学学报

【发表日期】

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2000年2期

【关键词】

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大面积金刚石膜生长气氛 CVD 计算机模拟 numerical model diamond film deposition large area DC

【基金项目】

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国家“863”高科技资助!71－002－Z030

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建立了直流电弧等离子体喷射ＣＶＤ大面积金刚石沉积数学模型．对衬底上方等离子体中的化学环境进行了模拟计算，并与在相同条件下对等离子体的光谱结果进行对比，发现计算结果与实验结果基本上吻合．在模拟条件下ＣＨ基团可能是促使金刚石生长的主要活化基因．模拟结果显示ＣＨ基因沿径向的均匀分布对大面积金刚石膜生长有较大的意义．

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