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提出了一种宽FBSOA（Forward Biased Safe Operating Area）的600V以上级薄膜SOI LDMOS结构。其机理是通过增加栅极场板,在场板末端的器件漂移区内引入一个电场尖峰,该尖峰电场会加剧漂移区内载流子的电离碰撞,导致电流随着器件在源漏电压增加到某一数值时出现陡增的跳变,大大提高器件在高压下的电流输出能力,显著改善器件的FBSOA特性。