固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展(续)

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4 GaN HEMT20世纪90年代中期GaN HEMT诞生。GaN是宽禁带材料,具有电子饱和速度高、击穿场强高、SiC衬底导热性好、抗辐照等特点,且在AlGaN/GaN界面上存在自极化和压电等新的物理效应,其二维电子气密度高达2×1013 cm-2,因此GaNHEMT在微波毫米波具有高功率密度的能力。进入21世纪后,优化了SiC衬底上GaN异质结外延材 4 GaN HEMT 20th century, the mid-90s GaN HEMT was born. GaN is a wide band gap material with high electron saturation speed, high breakdown strength, good thermal conductivity of SiC substrate, anti-radiation and other new physical properties such as self-polarization and piezoelectricity on the AlGaN / GaN interface Effect, its two-dimensional electron gas density up to 2 × 1013 cm-2, so GaNHEMT in microwave millimeter wave with high power density. After entering the 21st century, GaN heterojunction epitaxial material is optimized on the SiC substrate
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