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为寻求新型气敏材料,用化学共沉淀法制备了Cu2+掺杂In2O3,研究了其相结构、电导和气敏性能.结果表明:900℃热处理4h所得掺2% Cu2+的In2O3微粉制作的元件对C2H5OH有较高的灵敏度和较好的选择性,有良好的应用前景.
Cu^2＋掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响
【摘 要】
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为寻求新型气敏材料,用化学共沉淀法制备了Cu2+掺杂In2O3,研究了其相结构、电导和气敏性能.结果表明:900℃热处理4h所得掺2% Cu2+的In2O3微粉制作的元件对C2H5OH有较高的灵敏
【机 构】
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滁州师范专科学校
【出 处】
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传感器技术
【发表日期】
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2004年5期
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