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设计了电流模式曲率补偿的CMOS带隙基准源，基本原理是利用两个偏置在不同电流特性下的三极管，得到关于温度的非线性电流，补偿VEB的高阶温度项。用标准的0．6μmCMOS BSIM3v3模型库对该带隙基准源进行了仿真，结果表明在±1．5V的电源电压下，输出基准电压为-1．41855V，-55～125℃较宽的温度范围内，输出电压的变化只有0．35mV，有效温度系数达到1．37×10^-6／℃。同时，带隙基准源具有较高的电源抑制比，在2kHz下达到73dB。