论文部分内容阅读
设计了一个低电源电压的高精密的CMOS带隙电压基准源，采用SMIC0．18μmCMOS工艺。实现了一阶温度补偿，具有良好的电源抑制比。测试结果表明，在1．5V电源电压下，电源抑制比为47dB，在0～80℃的温度范围内，输出电压变化率为0．269％，功耗为0．22mW，芯片核面积为0．057mm^2。