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LV/HVN-WellBiCMOS[B]技术能够实现低压5V与高压100~700V(或更高)兼容的BiCMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HVMOS器件。改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓度等可以得到高电压。采用MOS集成电路芯片结构设计﹑工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。