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LV/HV P-Well BCD[B]技术（1）能够实现低压5 V与高压100～700 V（或更高）兼容的BCD工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用源区为硼磷双......
LV/HVN-WellBiCMOS[B]技术能够实现低压5V与高压100~700V(或更高)兼容的BiCMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移......
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LV/HV P-Well BCD[C]技术能够实现低压5V与高压100~700 V(或更高)兼容的BCD工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用源区为硼磷......
