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本文介绍了基于GaAs衬底工艺制作的L波段高隔离度定向耦合器。该芯片在1.0~1.5GHz的频带内插入损耗小于0.15dB,回波损耗优于-20dB,隔离端口之间的隔离度大于45dB,其方向性的指标达到了20dB以上。同时,使用新型拓扑结构的耦合器芯片的面积仅为2.2mm×1.3mm。设计的定向耦合器具有一致性高、小型化、低成本和免调试等优势,拥有良好的应用前景。